onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 6.6 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 124-1332
- メーカー型番:
- FDT86102LZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥55.272 | ￥221,088 |
| 8000 - 36000 | ￥55.039 | ￥220,156 |
| 40000 - 56000 | ￥54.806 | ￥219,224 |
| 60000 - 76000 | ￥54.574 | ￥218,296 |
| 80000 + | ￥54.341 | ￥217,364 |
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- RS品番:
- 124-1332
- メーカー型番:
- FDT86102LZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 46mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.7mm | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.7 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 46mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.7mm | ||
高さ 1.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.7 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
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