2 onsemi MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4.5 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥246,792.50

(税抜)

￥271,472.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥98.717￥246,793
5000 - 22500￥98.176￥245,440
25000 - 35000￥97.634￥244,085
37500 - 47500￥97.092￥242,730
50000 +￥96.54￥241,350

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
124-1393
メーカー型番:
FDS3992
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

123mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.575mm

幅

3.9 mm

長さ

4.9mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ