onsemi MOSFET, Pチャンネル, 47 A, 表面実装, 3 ピン, FQB47P06TM-AM002
- RS品番:
- 124-1716
- メーカー型番:
- FQB47P06TM-AM002
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
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- RS品番:
- 124-1716
- メーカー型番:
- FQB47P06TM-AM002
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 47 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 26 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最大パワー消費 | 3.75 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 9.65mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 47 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ D2PAK (TO-263) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 26 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 2V | ||
最大パワー消費 3.75 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 84 nC @ 10 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 9.65mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 4.83mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor
ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。
特長と利点:
•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ
•高密度セル設計
•高い飽和電流
•優れたスイッチング
•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス
• DMOS テクノロジー
用途:
•負荷スイッチング
• DC/DC コンバータ
•バッテリー保護
•電源管理制御
• DC モータ制御
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。