onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 47 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FQB47P06TM-AM002

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥2,835.00

(税抜)

￥3,118.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 2,145 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120￥567.00￥2,835
125 - 1245￥505.00￥2,525
1250 - 2495￥440.40￥2,202
2500 - 4995￥372.40￥1,862
5000 +￥307.60￥1,538

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
671-0905
メーカー型番:
FQB47P06TM-AM002
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

47A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

QFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

84nC

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

3.75W

順方向電圧 Vf

-4V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

9.65 mm

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor


ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。

特長と利点:


•電圧制御の P チャネル小信号スイッチ

•高密度セル設計

•高い飽和電流

•優れたスイッチング

•耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス

• DMOS テクノロジー

用途:


•負荷スイッチング

• DC/DC コンバータ

•バッテリー保護

•電源管理制御

• DC モータ制御

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ