型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70040E-GE3

RS品番:: 124-2248
メーカー型番:: SUM70040E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70040E-GE3

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個	単価	購入単位毎合計*
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125 - 1245	￥367.60	￥1,838
1250 - 2495	￥333.40	￥1,667
2500 - 4995	￥299.20	￥1,496
5000 +	￥265.40	￥1,327

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RS品番:: 124-2248
メーカー型番:: SUM70040E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	120A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	SUM70040E
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	375W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	76nC
	順方向電圧 Vf	1.5V
	動作温度 Max	175°C
	長さ	9.65mm
	規格 / 承認	No
	高さ	4.82mm
	幅	10.41 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 120A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ SUM70040E
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 375W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 76nC
	順方向電圧 Vf 1.5V
	動作温度 Max 175°C
	長さ 9.65mm
	規格 / 承認 No
	高さ 4.82mm
	幅 10.41 mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: TW

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SUM70040E-GE3

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NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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