Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 150 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
225-9969
メーカー型番:
SUM70042E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

N-Channel 100 V

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.5mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

84nC

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

278W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.826mm

規格 / 承認

No

10.414 mm

長さ

15.875mm

自動車規格

なし

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

TrenchFET パワー MOSFET

ジャンクション温度:最大 175 ° C

非常に低い Qgd により、 V (プラトー)の通過による電力損失を低減

100 % Rg及びUISテスト済み

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