onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 124-5411
- メーカー型番:
- NTR5198NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥11.433 | ￥34,299.00 |
| 15000 - 27000 | ￥11.091 | ￥33,273.00 |
| 30000 - 72000 | ￥10.50 | ￥31,500.00 |
| 75000 - 147000 | ￥10.204 | ￥30,612.00 |
| 150000 + | ￥9.908 | ￥29,724.00 |
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- RS品番:
- 124-5411
- メーカー型番:
- NTR5198NLT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.2 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 155 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最大パワー消費 | 900 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 1.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 3.04mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 1.01mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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