onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥56,844.00

(税抜)

￥62,529.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥18.948￥56,844
15000 - 27000￥18.575￥55,725
30000 - 72000￥18.201￥54,603
75000 - 147000￥17.828￥53,484
150000 +￥17.454￥52,362

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
184-1067
メーカー型番:
NTR4170NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

480mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.76nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

1.4 mm

高さ

1.01mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
30 V N チャンネルパワー MOSFET です。

低 rDS （ on ）で導電損失を最小限に抑制

低ゲートチャージ

低しきい値レベル

用途:

ポータブル用パワーコンバータです

バッテリマネージメント

負荷 / 電源スイッチ

関連ページ