Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 25 A, 60 mΩ, 22 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
826-9204
メーカー型番:
IPB600N25N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

136W

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

幅

9.45mm

高さ

4.57mm

自動車規格

なし

インフィニオン OptiMOS 3シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 250V、連続ドレイン電流 25A - IPB600N25N3GATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャネルスイッチングトランジスタです。非常に広い温度範囲で動作し、表面実装に対応した小型フットプリントを備えているため、大電力への対応とゲート制御が求められる実装環境での熱管理に適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 250V により、高電圧スイッチングに対応
• オン抵抗 60mΩ により導通損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 25A により高負荷での連続動作に対応
• 許容損失 136W により回路内の大きな熱負荷に対応
• ゲート電荷 22nC により予測可能なスイッチングエネルギーと駆動設計が可能
• ゲート-ソース間電圧上限 20V により標準的なゲート駆動電圧マージンを確保

用途


• 高電圧SMPSの一次側スイッチング段に最適
• 産業用モータ駆動インバータレッグに最適
• 通信用電源システムのDC-DCコンバータに使用
• バッテリ管理および充電器回路構成に使用可能
• 表面実装基板の汎用電力スイッチングに使用

動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか?


-55°C~175°C で動作し、温度変化の激しい環境でも使用できます。

実装と熱伝達を容易にするパッケージタイプは何ですか?


TO-263表面実装パッケージを採用しており、はんだ付けが容易で、抵抗器の熱を拡散するための大型サーマルパッドを備えています。

ゲート駆動設計では、このデバイスのどのような特性を考慮する必要がありますか?


標準ゲート電荷 22nC により、ゲートドライバの駆動能力の決定やスイッチング損失の算出に必要なスイッチングエネルギーを見積もることができます。

負荷時にはどのような導通性能が得られますか?


最大ドレイン-ソース間抵抗は 60mΩ と規定されており、定格連続電流 25A までの電流経路における導通損失を算出できます。

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