Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 300 mA, 4 Ω, 0.4 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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RS品番:
124-9035
メーカー型番:
2N7002H6327XTSA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

最大許容損失Pd

500mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.4nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

2.9mm

高さ

1mm

規格 / 承認

No

幅

1.3mm

自動車規格

なし

インフィニオン OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大ドレイン-ソース間抵抗 4Ω - 2N7002H6327XTSA2


この小信号Nチャネルエンハンスメント型MOSFETは、表面実装用途での高速スイッチング向けに設計されています。広い周囲温度範囲で動作し、導通制御と高速なゲート応答が求められる低電流回路に適した小型スイッチング素子です。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 60V により高電圧スイッチングに対応
• 最大Rds(on) 4Ω により低電流時の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 300mA により小信号負荷に対応
• 標準ゲート電荷 0.4nC により高速スイッチングが可能
• ゲート-ソース間許容電圧 20V により、柔軟な駆動電圧に対応
• 許容損失 500mW により小型レイアウトでの熱負荷に対応

用途


• 制御ユニットのレベルシフトおよび信号スイッチングに最適
• バッテリ駆動センサーインターフェース回路に最適
• 小型リレーおよびトランジスタ代替スイッチングに使用
• 民生用電子機器の保護回路に使用可能
• 基板上の小型電源管理モジュールに最適

基板レイアウト設計では、どのパッケージタイプを想定する必要がありますか?


SOT-23表面実装パッケージで提供され、高密度基板への実装が容易です。

温度は動作能力にどのような影響を与えますか?


-55°C~150°C で動作し、過酷な環境や高温環境での使用に対応します。

部品間隔を決めるうえで重要な機械的フットプリント寸法はどれですか?


この部品の寸法は 2.9 x 1.3 x 1mm で、クリアランスや隣接部品の配置を検討する際に役立ちます。

回路図作成および配線に使用できる端子はいくつありますか?


このデバイスは、シングルチャネルMOSFET構成に対応する3ピンを備えており、配線が容易です。

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