2 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 9.1 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7907TRPBF パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
130-0964
メーカー型番:
IRF7907TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

1V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

Distrelec Product Id

304-36-987

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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