Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF7832TRPBF

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RS品番:
827-3896
メーカー型番:
IRF7832TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

155°C

長さ

5mm

幅

4 mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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