Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 20 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, IRF7832TRPBF
- RS品番:
- 827-3896
- メーカー型番:
- IRF7832TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | ￥113.50 | ￥1,135 |
| 200 - 1890 | ￥100.90 | ￥1,009 |
| 1900 - 2490 | ￥87.90 | ￥879 |
| 2500 - 3190 | ￥75.20 | ￥752 |
| 3200 + | ￥62.90 | ￥629 |
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- RS品番:
- 827-3896
- メーカー型番:
- IRF7832TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 155°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 155°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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