2 Infineon MOSFET デュアル, タイプPチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF9362TRPBF パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥3,035.00

(税抜)

￥3,338.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 175 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 175￥121.40￥3,035
200 - 1850￥107.12￥2,678
1875 - 2475￥92.84￥2,321
2500 - 2975￥78.44￥1,961
3000 +￥65.28￥1,632

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
130-0970
メーカー型番:
IRF9362TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

32mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

デュアル

幅

4 mm

高さ

1.5mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ