1 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.6 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7311TRPBF パッケージSO-8

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RS品番:
215-2583
Distrelec 品番:
304-39-415
メーカー型番:
IRF7311TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.72V

最大許容損失Pd

2W

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。この改善により、複数のデバイスを 1 つの用途で使用できるようになり、基板スペースが大幅に削減されます。パッケージは気相用に設計され、赤外線はウェーブはんだ付けに対応しています。

Generation V テクノロジー

超低オン抵抗

表面実装

アバランシェ定格一杯です

デュアル N チャンネル MOSFET です

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