2 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 8.1 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRL6372TRPBF パッケージSOIC
- RS品番:
- 130-1013
- メーカー型番:
- IRL6372TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 25 - 175 | ￥80.12 | ￥2,003 |
| 200 - 1850 | ￥72.12 | ￥1,803 |
| 1875 - 2475 | ￥64.20 | ￥1,605 |
| 2500 - 2975 | ￥56.20 | ￥1,405 |
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- RS品番:
- 130-1013
- メーカー型番:
- IRL6372TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-992 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
Distrelec Product Id 304-36-992 | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。