Toshiba Nチャンネル MOSFET40 V 15 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 133-2798
- メーカー型番:
- TK15S04N1L,LQ(O
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 5 - 120 | ￥158.40 | ￥792.00 |
| 125 - 1245 | ￥139.80 | ￥699.00 |
| 1250 - 2495 | ￥121.20 | ￥606.00 |
| 2500 - 4995 | ￥102.60 | ￥513.00 |
| 5000 + | ￥84.00 | ￥420.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 133-2798
- メーカー型番:
- TK15S04N1L,LQ(O
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
その他
- COO（原産国）:
- JP
詳細情報
MOSFETトランジスタ、東芝
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 15 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | U-MOSVIII-H |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 37 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.5V |
| 最大パワー消費 | 46 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 5.5mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 6.5mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 高さ | 2.3mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
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