東芝電池 MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, TK100S04N1L

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,644.00

(税抜)

¥1,808.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,515 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 20¥328.80¥1,644
25 - 95¥284.20¥1,421
100 - 995¥248.00¥1,240
1000 +¥220.40¥1,102

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
171-2499
メーカー型番:
TK100S04N1L
メーカー/ブランド名:
Toshiba
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Toshiba

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

76nC

最大許容損失Pd

180W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

7 mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 対象外

COO(原産国):
JP
用途

自動車

スイッチング電圧レギュレータ

モータドライバ

特長

低ドレイン-ソース間オン抵抗: RDS(ON) = 1.9 mΩ(標準) (VGS = 10 V)

低漏洩電流: IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 40 V)

拡張モード: Vth = 1.5 → 2.5 V (VDS = 10 V、ID = 0.5 mA)

関連ページ