- RS品番:
- 133-2800
- メーカー型番:
- TK6P65W,RQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
40 国内在庫あり - 通常1営業日でお届け
単価: 購入単位は10個
¥83.80
(税抜)
¥92.18
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
10 - 240 | ¥83.80 | ¥838.00 |
250 - 2490 | ¥73.90 | ¥739.00 |
2500 - 4990 | ¥63.90 | ¥639.00 |
5000 - 9990 | ¥54.00 | ¥540.00 |
10000 + | ¥44.00 | ¥440.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 133-2800
- メーカー型番:
- TK6P65W,RQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
その他
- COO(原産国):
- JP
詳細情報
東芝 MOSFET Nチャンネル TK6/TK7シリーズ
MOSFETトランジスタ、東芝
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 5.8 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
シリーズ | DTMOSIV |
パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.05 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
最大パワー消費 | 60 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
幅 | 6.1mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
トランジスタ素材 | Si |
長さ | 6.6mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.7V |
高さ | 2.3mm |
関連ページ
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 6.8 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 9.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 11.1 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET250 V 7.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET500 V 3 A スルーホール パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET650 V 13.7 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 11.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン