Toshiba Nチャンネル MOSFET250 V 7.5 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 174-4116
- メーカー型番:
- TK8P25DA,RQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
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単価： 購入単位は25個
￥35.20
(税抜)
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(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 25 - 600 | ￥35.20 | ￥880.00 |
| 625 - 6225 | ￥31.76 | ￥794.00 |
| 6250 - 12475 | ￥28.32 | ￥708.00 |
| 12500 - 24975 | ￥24.84 | ￥621.00 |
| 25000 + | ￥21.40 | ￥535.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 174-4116
- メーカー型番:
- TK8P25DA,RQ(S
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
データシート
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
Toshiba MOSFET は、 3 ピン及び表面実装タイプのシリコン N チャンネル MOS です。
低いドレイン-ソース間オン抵抗
低漏洩電流
低漏洩電流
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 7.5 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 250 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 500 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.5V |
| 最大パワー消費 | 55 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| 長さ | 6.6mm |
| 幅 | 6.1mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 2.3mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.7V |
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