- RS品番:
- 134-9709
- メーカー型番:
- SIHP065N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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¥1,151.00
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(税込)
個 | 単価 |
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1 - 1 | ¥1,151.00 |
2 - 19 | ¥1,119.00 |
20 - 29 | ¥939.00 |
30 - 39 | ¥809.00 |
40 + | ¥783.00 |
- RS品番:
- 134-9709
- メーカー型番:
- SIHP065N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor
VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。
特長
低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg
低入力静電容量(Ciss)
低オン抵抗(RDS(on))
超低ゲート電荷(Qg)
高速スイッチング
スイッチング損失及び導電損失を低減
低入力静電容量(Ciss)
低オン抵抗(RDS(on))
超低ゲート電荷(Qg)
高速スイッチング
スイッチング損失及び導電損失を低減
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 40 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
シリーズ | E Series |
パッケージタイプ | TO-220AB |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 65 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 250 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
長さ | 10.51mm |
幅 | 4.65mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 15.49mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
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