Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 29 A, 88 mΩ, 53 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 200-6795
- メーカー型番:
- SiHP105N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 200-6795
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- SiHP105N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 29A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 88mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 208W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 53nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 14.4mm | |
| 長さ | 10.52mm | |
| 幅 | 4.65mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 29A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 88mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 208W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 53nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 14.4mm | ||
長さ 10.52mm | ||
幅 4.65mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流29 A - SiHP105N60EF-GE3
このパワーMOSFETは、産業用および電子システムにおける要求の厳しい電力変換および制御用途向けに設計された高電圧スイッチングデバイスです。スルーホールTO-220ABパッケージで提供されるNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタで、幅広い温度範囲で動作しながら高電圧や持続電流に対応するように設計されています。
特長：
• 650Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途に対応
• 29Aの連続ドレイン機能により、大きな負荷電流に対応
• 最大許容電力 208W により、高出力処理に対応
• 88mΩ Rds(on)により、定格条件下での導通損失を最小限に抑制
• 53nC標準ゲート充電により、スイッチングエネルギーおよびドライブ要件を最適化
• 30 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保
• 29Aの連続ドレイン機能により、大きな負荷電流に対応
• 最大許容電力 208W により、高出力処理に対応
• 88mΩ Rds(on)により、定格条件下での導通損失を最小限に抑制
• 53nC標準ゲート充電により、スイッチングエネルギーおよびドライブ要件を最適化
• 30 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保
用途
• SMPS一次側スイッチング段に最適
• 産業用モータードライブインバータセクションに最適
• 電源の高電圧DC-DCコンバータに使用
• 電子負荷および電力テスト機器に使用可能
• 力率補正におけるディスクリートスイッチトポロジーと併用
• 産業用モータードライブインバータセクションに最適
• 電源の高電圧DC-DCコンバータに使用
• 電子負荷および電力テスト機器に使用可能
• 力率補正におけるディスクリートスイッチトポロジーと併用
動作中にどのような極端な熱に耐えられますか?
このデバイスは、-55°C～150°Cまで動作するように設計されており、コールドスタート環境と高温設備の両方で使用できます。
プリント基板設計にどのように取り付けられ、統合されますか?
3つのピンとヒートシンク用の取り付けタブを備えたスルーホールTO-220ABパッケージを採用し、タブに取り付けられたヒートシンクを介して基板を簡単に固定し、熱管理を実現します。
どのようなゲートドライブに注意すべきですか?
最大ゲートソース間定格電圧:30V
ゲートドライブ電圧は、この制限内に保たれ、ゲートを過負荷させることなく効率的なスイッチングを実現するために、53nCの標準ゲート電荷に適合する必要があります。
伝導中にどのような順方向電圧特性が重要ですか?
順方向電圧は1.2 Vで、低電圧電流経路やボディダイオード性能評価での導通損失計算に役立ちます。
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