Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 22 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP150N60E-GE3
- RS品番:
- 268-8320
- メーカー型番:
- SIHP150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8320
- メーカー型番:
- SIHP150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 22A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHP | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 22A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHP | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流22 A - SIHP150N60E-GE3
このMOSFETは、産業用電子機器の電力変換および制御作業向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。スルーホールTO-220ABパッケージに収められたエンハンスメントモードトランジスタとして動作し、堅牢な熱管理とサービス可能な取り付けが必要な設備に対応します。このコンポーネントは、高温動作をサポートし、高ドレインソース電圧で制御されたゲート駆動スイッチングを必要とする回路で使用するように設計されています。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 22 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷処理を実現 • 0.158 Ω Rds(on)により、オン状態での導通損失を低減 • 179 Wの消費電力により、高い熱負荷容量を実現 • 36 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • ±30 Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高Vdsを必要とする産業用モータインバータステージに最適 • 高入力電圧に対応するスイッチモード電源に最適 • オートメーションドライブモジュールのフロントエンド電源スイッチングに使用 • 高電圧制御回路のリレー交換に使用可能 • スルーホール取り付けを必要とするディスクリート電源アセンブリで使用
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
定格動作温度は-55°C～150°Cまでで、コールドスタートおよび高温環境での展開が可能です。
ヒートシンクと取り付けに影響するパッケージングの考慮事項
TO-220ABスルーホールフォーマットは、ヒートシンクに直接取り付けるための金属製バックプレートと、効果的な放熱を実現するための簡単なパネル取り付けを実現します。
ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?
36 nCの標準ゲート充電は、トランジションごとに必要なドライブエネルギーを決定し、スイッチング損失とゲートドライバのサイズに影響します。
注意すべきゲートドライブ電圧に制限はありますか?
指定された最大ゲートソース電圧は30 Vで、デバイスのストレスを回避するためにゲートドライブ波形の安全な振幅を定義します。
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