Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 22 A, 0.158 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB

RS品番:: 268-8320
メーカー型番:: SIHP150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 22 A, 0.158 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB

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RS品番:: 268-8320
メーカー型番:: SIHP150N60E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	SIHP
	パッケージ型式	JEDEC TO-220AB
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.158Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	179W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 22A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ SIHP
	パッケージ型式 JEDEC TO-220AB
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 179W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流22 A - SIHP150N60E-GE3

このNチャンネルMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧パワートランジスタです。広い温度範囲で確実に動作し、従来の基板実装に適したスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスはRoHS指令に準拠し、大きな電圧処理と中程度の電流容量を必要とする用途向けに設計されています。

特長：

• 650Vのドレイン定格により、高電圧スイッチングでの使用が可能
• 22Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷フローをサポート
• 0.158Ω Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 標準36nCのゲート充電により、予測可能なスイッチングプロファイルを実現
• 最大179Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応

用途

• 高電圧SMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータインバータステージに最適
• 通信整流用電源と併用
• 太陽光発電インバータフロントエンドに使用可能

ドライブ設計時にはどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?

ゲートは、ゲート酸化ストレスを防止し、長期的な信頼性を確保するため、ソースに対して±30 Vを超えないようにします。

熱管理は実際の電力処理にどのような影響を与えますか?

179Wの消散定格には、連続負荷時に最大150°C以下のジャンクション温度を維持するために、適切なヒートシンクとサーマルインターフェースが必要です。

このデバイス周辺のシステムでは、どのような周囲温度範囲が期待できますか?

-55°C～150°Cまで動作するように設計されており、適切に取り付けられた場合、極端な寒さや高温環境での使用が可能です。

このデバイスのチャンネルモードは、回路の動作にどのように影響しますか?

エンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして、ゼロゲートバイアスでオフ状態を維持し、導通にはポジティブゲートドライブが必要で、ローサイドおよびハイサイドトポロジでの制御を簡素化します。