ローム SiC電源モジュール, Nチャンネル, 1.2 kV, 180 A, 4ピン
- RS品番:
- 144-2254
- メーカー型番:
- BSM180D12P3C007
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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- RS品番:
- 144-2254
- メーカー型番:
- BSM180D12P3C007
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| プロダクトタイプ | SiC電源モジュール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 1.2 kV | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 180 A | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 17 mm | |
| 長さ | 122 mm | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 880 W | |
| 動作温度 (Min) | -40 °C | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| シリーズ | BSM | |
| 幅 | 45.6 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
プロダクトタイプ SiC電源モジュール | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 180 A | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 17 mm | ||
長さ 122 mm | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 880 W | ||
動作温度 (Min) -40 °C | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
シリーズ BSM | ||
幅 45.6 mm | ||
- COO（原産国）:
- JP
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.