2 ローム SiC電源モジュール, タイプNチャンネル, 4-Pin エンハンスメント型, BSM180D12P3C007
- RS品番:
- 144-2259
- メーカー型番:
- BSM180D12P3C007
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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- RS品番:
- 144-2259
- メーカー型番:
- BSM180D12P3C007
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | SiC電源モジュール | |
| シリーズ | BSM | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 122mm | |
| 高さ | 17mm | |
| 幅 | 45.6 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ SiC電源モジュール | ||
シリーズ BSM | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 122mm | ||
高さ 17mm | ||
幅 45.6 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
- COO（原産国）:
- JP
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
SiC電源モジュール、ローム
このモジュールは、シリコンカーバイド(SiC) DMOSパワーFETデバイスとドレイン-ソース間のショットキーバリアダイオード(SBD)で構成されています。
ハーフブリッジ構成
低サージ電流
低電力スイッチングロス
高速スイッチング
低動作温度
MOSFETトランジスタ、ローム
Note
BSM180D12P2C101 SiC電源モジュールには、ショットキーバリアダイオードは搭載されていません。