- RS品番:
- 145-4426
- メーカー型番:
- FCP190N65F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
- RS品番:
- 145-4426
- メーカー型番:
- FCP190N65F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
SuperFET® / SuperFET® II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET® II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。
高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。
高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 20 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | TO-220 |
シリーズ | SuperFET II |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 168 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 208 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
幅 | 4.7mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
長さ | 10.67mm |
動作温度 Min | -55 °C |
高さ | 16.3mm |
関連ページ
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 19 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 24 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 44 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET650 V 44 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 17 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 16 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET650 V 17 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン