onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 33 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 145-4517
- メーカー型番:
- FDP33N25
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥162.06 | ￥8,103 |
| 250 - 450 | ￥158.96 | ￥7,948 |
| 500 - 1200 | ￥150.36 | ￥7,518 |
| 1250 - 2450 | ￥146.06 | ￥7,303 |
| 2500 + | ￥141.72 | ￥7,086 |
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- RS品番:
- 145-4517
- メーカー型番:
- FDP33N25
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | UniFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.094Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 最大許容損失Pd | 235W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 高さ | 9.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ UniFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.094Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
最大許容損失Pd 235W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36.8nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.83 mm | ||
高さ 9.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
UniFET™ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II™ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。
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MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。