onsemi MOSFET, Nチャンネル, シングル, 200 V, 18 A, 180 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 145-5670
- メーカー型番:
- IRL640A
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 145-5670
- メーカー型番:
- IRL640A
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 200 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 18 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 180 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 16.3 mm | |
| 長さ | 10.67 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V, -20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 110 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 幅 | 4.7 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 200 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 18 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 180 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 16.3 mm | ||
長さ 10.67 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V, -20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 110 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
幅 4.7 mm | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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