1 Infineon MOSFET シングル, タイプN, タイプNチャンネル, 104 A, スルーホール, スルーホール 55 V, 3-Pin エンハンスメント型, IRL2505PBF パッケージJEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 913-3869
- メーカー型番:
- IRL2505PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 913-3869
- メーカー型番:
- IRL2505PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 104A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | LogicFET | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール, スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 130nC | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 104A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ LogicFET | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール, スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 130nC | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
高さ 8.77mm | ||
長さ 10.54mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
インフィニオンLogicFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流104A、最大許容損失200W - IRL2505PBF
このMOSFETは、効率的なエネルギー管理を必要とする高性能アプリケーション向けに設計されています。最大連続ドレイン電流は104A、ドレイン・ソース間電圧は55Vまで対応可能で、市場において競争力のある選択肢となっている。その堅牢な構造と高度な仕様により、さまざまなオートメーションや電子機器の用途に適している。
特徴と利点
• 8mΩの低オン抵抗で発熱を低減
• 最大消費電力200Wでパフォーマンスを向上
• スルーホール・マウント・スタイルにより、組み込みが容易
• 低ゲートチャージ要件で運用効率を向上
• エンハンスメント・モード設計により、厳しい条件下でも性能を発揮
用途
• 電源スイッチング 効果的なコントロールのために
• 速度・トルク調整用モーター駆動回路
• 大電流管理が必要な自動化システム
• 安定した出力を維持する電源と変換回路
• パワーハンドリングを強化する産業機械
ゲートしきい値電圧はどのくらいですか?
ゲートしきい値電圧は1V~2Vで、さまざまなアプリケーションに柔軟に対応できる。
温度はパフォーマンスにどう影響するのか?
このデバイスは、-55℃~+175℃の温度範囲で効果的に動作し、過酷な環境条件に適している。
パルス電流運転に対応できるか?
また、最大360Aのパルスドレイン電流に対応し、短時間アプリケーションの信頼性を確保します。
ドレイン-ソース間の電圧はどの程度まで管理できますか?
最大電圧は55Vで、ほとんどの汎用アプリケーションに最適である。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V
インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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