- RS品番:
- 145-8833
- メーカー型番:
- BSS316NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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3000 - 12000 | ¥7.19 | ¥21,570.00 |
15000 - 27000 | ¥6.976 | ¥20,928.00 |
30000 - 72000 | ¥6.604 | ¥19,812.00 |
75000 - 147000 | ¥6.418 | ¥19,254.00 |
150000 + | ¥6.232 | ¥18,696.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 145-8833
- メーカー型番:
- BSS316NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
Infineon OptiMOS™2パワーMOSFETファミリ
InfineonのOptiMOS™2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 1.4 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
シリーズ | OptiMOS 2 |
パッケージタイプ | SOT-23 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 280 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2V |
最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
最大パワー消費 | 500 mW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
長さ | 2.9mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 0.6 nC @ 5 V |
トランジスタ素材 | Si |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 1.3mm |
高さ | 0.9mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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