Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 1.5 A, 230 mΩ, 2.9 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 892-2377
- メーカー型番:
- BSS314PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 892-2377
- メーカー型番:
- BSS314PEH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 230mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.3mm | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 幅 | 0.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 230mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.9nC | ||
順方向電圧 Vf -1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.3mm | ||
長さ 2.9mm | ||
幅 0.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン OptiMOS PシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 1.5A - BSS314PEH6327XTSA1
このPチャンネルMOSFETは自動車および産業用電子機器の低電圧電力制御用のコンパクトな表面実装スイッチングデバイスとして機能します。エンハンスメントモード動作向けに設計され、幅広い温度範囲で電力経路および負荷スイッチング作業に制御された導通を実現し、過酷な熱環境に適しています。
特長：
• 30Vドレイン機能により低電圧システムスイッチングが可能
• 230mΩ Rds(on)により小さな負荷に効率的な伝導を実現
• 1.5Aの連続ドレイン電流により、中電流経路をサポート
• 2.9nC標準値ゲート電荷により、スイッチング時のエネルギー損失を低減
• 最大20Vのゲート-ソース間定格により、柔軟なゲート駆動マージンが可能
• 自動車AEC Q101認定により、車両グレードの用途に適合
• 230mΩ Rds(on)により小さな負荷に効率的な伝導を実現
• 1.5Aの連続ドレイン電流により、中電流経路をサポート
• 2.9nC標準値ゲート電荷により、スイッチング時のエネルギー損失を低減
• 最大20Vのゲート-ソース間定格により、柔軟なゲート駆動マージンが可能
• 自動車AEC Q101認定により、車両グレードの用途に適合
用途
• バッテリー管理および保護回路に最適
• 自動車用制御モジュールにおけるロードスイッチに最適
• ハンドヘルドおよびポータブル電子機器の電源レールに使用
• センサーノードにおける小信号電源スイッチングに使用可能
• 基板スペースが制限されている表面実装設計に最適
• 自動車用制御モジュールにおけるロードスイッチに最適
• ハンドヘルドおよびポータブル電子機器の電源レールに使用
• センサーノードにおける小信号電源スイッチングに使用可能
• 基板スペースが制限されている表面実装設計に最適
動作時に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか？
-55°C～150 °Cの範囲で動作するように仕様が定められ、温度変動の大きい環境でも使用可能です。
パッケージは、基板レベルの統合にどのような影響を及ぼしますか？
SOT-23表面実装型により密集した基板上でのコンパクトな配置と自動組立が可能です。
設計者はどのような電力処理制限を考慮すべきですか？
このデバイスは最大500mWの消費電力を発揮するため、連続負荷下でのジャンクション温度管理には、適切なプリント基板銅と熱レイアウトが必要です。
ゲートドライブの選択には、どのような電気的制限が適用されますか？
ゲート過負荷を避け、信頼性の高いスイッチングを確保するには、ドライブ電圧はソースに対して±20V以内に保たなければなりません。
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