Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 190 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BSS119NH6327XTSA1

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RS品番:
165-5873
メーカー型番:
BSS119NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

190mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

500mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

2.9mm

幅

1.3 mm

高さ

1mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

Infineon OptiMOS™小信号MOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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