Name: 1 IXYS MOSFET シングル, タイプN, タイプNチャンネル, 12 A, スルーホール, スルーホール 650 V, 3-Pin エンハンスメント型, IXTH12N65X2 パッケージTO-247
Brand: IXYS
SKU: 146-1786
Price: 863.57 JPY
Availability: Discontinued

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	IXYS
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	X2-Class
	パッケージ型式	TO-247
	取付タイプ	スルーホール, スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	300mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.4V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	17.7nC
	最大許容損失Pd	180W
	トランジスタ構成	シングル
	動作温度 Max	150°C
	高さ	5.3mm
	幅	21.45mm
	規格 / 承認	No
	長さ	16.24mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド IXYS
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ X2-Class
	パッケージ型式 TO-247
	取付タイプスルーホール, スルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 300mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.4V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.7nC
	最大許容損失Pd 180W
	トランジスタ構成シングル
	動作温度 Max 150°C
	高さ 5.3mm
	幅 21.45mm
	規格 / 承認 No
	長さ 16.24mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

COO（原産国）:: US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ

IXYS X2クラスパワーMOSFETシリーズは、前世代のパワーMOSFETと比較して、抵抗とゲート電荷を大幅に低減し、損失を低減し、動作効率を向上させます。これらの頑丈なデバイスは、本質ダイオードを内蔵し、ハードスイッチングと共振モードの両方の用途に適しています。X2クラスパワーMOSFETは、絶縁タイプを含むさまざまな業界標準パッケージで提供され、650 Vで最大120 Aの定格を備えています。主な用途には、DC-DCコンバータ、ACおよびDCモータドライブ、スイッチモードおよび共振モード電源、DCチッパー、ソーラーインバータ、温度および照明制御などがあります。

非常に低いRDS(on)およびQG(ゲート充電)

本質整流ダイオード

低い本質的なゲート抵抗

低パッケージインダクタンス

業界標準のパッケージ

MOSFETトランジスタ、IXYS

IXYSの幅広い高度なディスクリートパワーMOSFETデバイス

1 IXYS MOSFET シングル, タイプN, タイプNチャンネル, 12 A, スルーホール, スルーホール 650 V, 3-Pin エンハンスメント型, IXTH12N65X2 パッケージTO-247

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ

MOSFETトランジスタ、IXYS

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