IXYS MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 34 A, 100 mΩ, 56 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥32,520.00

(税抜)

¥35,772.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 150 2026年8月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥1,084.00¥32,520
150 - 270¥1,073.633¥32,209
300 - 720¥1,051.50¥31,545
750 - 1470¥1,030.667¥30,920
1500 +¥1,009.767¥30,293

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
146-1788
メーカー型番:
IXFH34N65X2
メーカー/ブランド名:
IXYS
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

HiperFET, X2-Class

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

100mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.4V

最大許容損失Pd

540W

動作温度 Max

150°C

長さ

16.24mm

規格 / 承認

No

高さ

5.3mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET™ X2シリーズ


IXYS X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。

超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

高速真性整流器

低真性ゲート抵抗

低パッケージインダクタンス

産業用の標準パッケージ

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。