IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 34 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IXFH34N65X2
- RS品番:
- 917-1467
- メーカー型番:
- IXFH34N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥2,584.00
(税抜)
￥2,842.40
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 198 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | ￥1,292.00 | ￥2,584 |
| 8 - 14 | ￥1,245.50 | ￥2,491 |
| 16 - 18 | ￥1,199.00 | ￥2,398 |
| 20 - 22 | ￥1,152.50 | ￥2,305 |
| 24 + | ￥1,106.50 | ￥2,213 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 917-1467
- メーカー型番:
- IXFH34N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 100mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 56nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 540W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 16.24mm | |
| 高さ | 5.3mm | |
| 幅 | 21.45 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| Distrelec Product Id | 304-37-851 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 100mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 56nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 540W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 16.24mm | ||
高さ 5.3mm | ||
幅 21.45 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Distrelec Product Id 304-37-851 | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET™ X2シリーズ
IXYS X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
高速真性整流器
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品