IXYS MOSFET, Nチャンネル, シングル, 1 kV, 38 A, 220 mΩ, 4ピン, パッケージ：SOT-227
- RS品番:
- 804-7577
- Distrelec 品番:
- 302-53-373
- メーカー型番:
- IXFN44N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
取扱終了
- RS品番:
- 804-7577
- Distrelec 品番:
- 302-53-373
- メーカー型番:
- IXFN44N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 38A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1kV | |
| パッケージ型式 | SOT-227 | |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class | |
| 取付タイプ | ねじ止め端子 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 220mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 960W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V, -30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 高さ | 9.6mm | |
| 長さ | 38.23mm | |
| 幅 | 25.07mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 38A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1kV | ||
パッケージ型式 SOT-227 | ||
シリーズ HiperFET, Q3-Class | ||
取付タイプ ねじ止め端子 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 220mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 960W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V, -30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
高さ 9.6mm | ||
長さ 38.23mm | ||
幅 25.07mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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