1 IXYS MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 38 A, ねじ止め端子 1000 V, 4-Pin エンハンスメント型, IXFN44N100Q3 パッケージSOT-227

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取扱終了
RS品番:
804-7577
Distrelec 品番:
302-53-373
メーカー型番:
IXFN44N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1000V

パッケージ型式

SOT-227

シリーズ

HiperFET, Q3-Class

取付タイプ

ねじ止め端子

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

220mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-30/30 V

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Max

150°C

長さ

38.23mm

幅

25.07 mm

高さ

9.6mm

1チップ当たりのエレメント数

1

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ


IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

低真性ゲート抵抗

産業用の標準パッケージ

低パッケージインダクタンス

高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

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