IXYS MOSFET, Nチャンネル, 38 A, スクリュー マウント, 4 ピン, IXFN44N100Q3
- RS品番:
- 804-7577
- Distrelec 品番:
- 302-53-373
- メーカー型番:
- IXFN44N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
取扱終了
- RS品番:
- 804-7577
- Distrelec 品番:
- 302-53-373
- メーカー型番:
- IXFN44N100Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 38 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1000 V | |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class | |
| パッケージタイプ | SOT-227 | |
| 実装タイプ | スクリュー マウント | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 220 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V | |
| 最大パワー消費 | 960 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 長さ | 38.23mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 264 nC@10 V | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 25.07mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 高さ | 9.6mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 38 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 1000 V | ||
シリーズ HiperFET, Q3-Class | ||
パッケージタイプ SOT-227 | ||
実装タイプ スクリュー マウント | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 220 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 6.5V | ||
最大パワー消費 960 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
長さ 38.23mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 264 nC@10 V | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 25.07mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
高さ 9.6mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品