1 IXYS MOSFET シングル, タイプNチャンネル, 38 A, ねじ止め端子 1000 V, 4-Pin エンハンスメント型, IXFN44N100Q3 パッケージSOT-227

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RS品番:
804-7577
Distrelec 品番:
302-53-373
メーカー型番:
IXFN44N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1000V

パッケージ型式

SOT-227

シリーズ

HiperFET, Q3-Class

取付タイプ

ねじ止め端子

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

220mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30, -30V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

シングル

高さ

9.6mm

幅

25.07mm

長さ

38.23mm

1チップ当たりのエレメント数

1

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFETTM Q3シリーズ


IXYS Q3クラスのHiperFETTMパワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モード用途の両方に適し、優れた頑丈性で低ゲート充電を実現します。このデバイスには、高速内蔵ダイオードが搭載されており、最大定格電圧1100 V及び70 Aの絶縁タイプを含む業界標準のさまざまなパッケージが用意されています。一般的な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度及び照明制御などがあります。

ファスト本質整流ダイオード

低RDS(オン)及びQG(ゲート充電)

低い本質的なゲート抵抗

業界標準のパッケージ

低パッケージインダクタンス

高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの幅広い高度なディスクリートパワーMOSFETデバイス

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