- RS品番:
- 146-4246
- メーカー型番:
- IXFB90N85X
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価: 購入単位は25個
¥3,180.00
(税抜)
¥3,498.00
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
25 - 100 | ¥3,180.00 | ¥79,500.00 |
125 - 225 | ¥3,116.40 | ¥77,910.00 |
250 - 600 | ¥3,054.08 | ¥76,352.00 |
625 - 1225 | ¥2,993.00 | ¥74,825.00 |
1250 + | ¥2,933.16 | ¥73,329.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 146-4246
- メーカー型番:
- IXFB90N85X
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。
極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg
高速ボディダイオード
dv/dt耐久性
アバランシェ定格
低パッケージインダクタンス
国際標準パッケージ
高速ボディダイオード
dv/dt耐久性
アバランシェ定格
低パッケージインダクタンス
国際標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 90 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 850 V |
パッケージタイプ | PLUS264 |
シリーズ | HiperFET |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 41 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3.5V |
最大パワー消費 | 1.79 kW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | ±30 V |
幅 | 5.31mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 340 @ 10 V nC |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 20.29mm |
高さ | 26.59mm |
順方向ダイオード電圧 | 1.4V |
動作温度 Min | -55 °C |
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