- RS品番:
- 801-1370
- メーカー型番:
- IXFB82N60Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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6 - 11 | ¥6,504.00 |
12 - 15 | ¥5,822.00 |
16 - 19 | ¥5,020.00 |
20 + | ¥4,851.00 |
- RS品番:
- 801-1370
- メーカー型番:
- IXFB82N60Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 82 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
パッケージタイプ | PLUS264 |
シリーズ | HiperFET, Q3-Class |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 75 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V |
最大パワー消費 | 1.56 kW |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
長さ | 20.29mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 275 nC@10 V |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 5.31mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
高さ | 26.59mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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