IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 110 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージPLUS264, IXFB110N60P3

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥3,904.00

(税抜)

¥4,294.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 23 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 5¥3,904
6 - 11¥3,835
12 - 15¥3,586
16 - 19¥3,079
20 +¥2,989

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
802-4344
Distrelec 品番:
302-53-299
メーカー型番:
IXFB110N60P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PLUS264

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

245nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

1.89kW

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

20.29mm

高さ

26.59mm

5.31 mm

Distrelec Product Id

30253299

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Polar3™シリーズ


IXYS Polar3™シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

関連ページ