IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN110N85X

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RS品番:
146-4249
メーカー型番:
IXFN110N85X
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

850V

シリーズ

HiperFET

パッケージ型式

SOT-227

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.17kW

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

425nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

9.6mm

規格 / 承認

No

幅

25.07 mm

長さ

38.23mm

自動車規格

なし

高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。

極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg

高速ボディダイオード

dv/dt耐久性

アバランシェ定格

低パッケージインダクタンス

国際標準パッケージ

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