IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN110N85X

RS品番:: 146-4249
メーカー型番:: IXFN110N85X
メーカー/ブランド名:: IXYS

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN110N85X

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本10個入り) 小計：*

￥92,776.00

￥102,053.60

￥3,000円を超える注文については、送料無料

一時的に在庫切れ

本日発注の場合は 2027年1月01日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	1チューブあたりの価格*
10 - 40	￥9,277.60	￥92,776
50 - 90	￥9,184.00	￥91,840
100 - 240	￥9,000.10	￥90,001
250 - 490	￥8,819.50	￥88,195
500 +	￥8,644.10	￥86,441

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 146-4249
メーカー型番:: IXFN110N85X
メーカー/ブランド名:: IXYS

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	IXYS
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	パッケージ型式	SOT-227
	シリーズ	HiperFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	33mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	425nC
	最大許容損失Pd	1.17kW
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	幅	25.07 mm
	長さ	38.23mm
	規格 / 承認	No
	高さ	9.6mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド IXYS
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	パッケージ型式 SOT-227
	シリーズ HiperFET
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 33mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.4V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 425nC
	最大許容損失Pd 1.17kW
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	幅 25.07 mm
	長さ 38.23mm
	規格 / 承認 No
	高さ 9.6mm
	自動車規格なし

高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。

極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg

高速ボディダイオード

dv/dt耐久性

アバランシェ定格

低パッケージインダクタンス

国際標準パッケージ