IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 90 A エンハンスメント型, パネル, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN110N60P3

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RS品番:
168-4756
メーカー型番:
IXFN110N60P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

HiperFET, Polar3

パッケージ型式

SOT-227

取付タイプ

パネル

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

245nC

最大許容損失Pd

1.5kW

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

38.23mm

高さ

9.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Polar3™シリーズ


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