IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227

RS品番:: 146-4396
Distrelec 品番:: 302-53-360
メーカー型番:: IXFN110N85X
メーカー/ブランド名:: IXYS

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 850 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227

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RS品番:: 146-4396
Distrelec 品番:: 302-53-360
メーカー型番:: IXFN110N85X
メーカー/ブランド名:: IXYS

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	IXYS
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	850V
	シリーズ	HiperFET
	パッケージ型式	SOT-227
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	33mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	順方向電圧 Vf	1.4V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	425nC
	最大許容損失Pd	1.17kW
	動作温度 Max	150°C
	長さ	38.23mm
	高さ	9.6mm
	幅	25.07 mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし
	Distrelec Product Id	30253360

	すべて選択
	ブランド IXYS
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 110A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 850V
	シリーズ HiperFET
	パッケージ型式 SOT-227
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 33mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	順方向電圧 Vf 1.4V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 425nC
	最大許容損失Pd 1.17kW
	動作温度 Max 150°C
	長さ 38.23mm
	高さ 9.6mm
	幅 25.07 mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし
	Distrelec Product Id 30253360

高速ボディダイオードを使用した850 V UltraジャンクションXクラスパワーMOSFETは、IXYS Corporation製の新しいパワー半導体製品ラインです。これらの頑丈なデバイスは、業界で最も低いオン状態抵抗を示し、高電圧電力変換用途で非常に高い電力密度を可能にします。電荷補償原理及び独自の加工技術を使用して開発された新しい850 Vデバイスは、最も低いオン状態抵抗(SOT-227パッケージで33 mΩ、PLUS264で41 mΩなど)を、低いゲート電荷と優れたdv/dt性能とともに示します。

極めて低いオン抵抗RDS(ON)及びゲート電荷Qg

高速ボディダイオード

dv/dt耐久性

アバランシェ定格

低パッケージインダクタンス

国際標準パッケージ