Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル -20 V, -3.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 151-3017
- メーカー型番:
- PMV65XPEAR
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
代替品 / 類似品
この製品は現在お取り扱いしておりません。 お勧めの代替品です。
購入単位は3000 個
￥28.118
(税抜)
￥30.93
(税込)
- RS品番:
- 151-3017
- メーカー型番:
- PMV65XPEAR
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -3.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -20V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 125mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 6.25W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 長さ | 3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -3.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -20V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 125mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 6.25W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 1.4 mm | ||
長さ 3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
車載向けMOSFET: AEC-Q101認定のパワーMOSFETとして世界最大の品揃えを誇ります。Nexperiaは、車載システムの要件を知り尽くしたうえで技術を絞り込み、幅広い用途向けのパワー半導体を提供しています。シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。
車載向けMOSFET: AEC-Q101認定のパワーMOSFETとして世界最大の品揃えを誇ります。Nexperiaは、車載システムの要件を知り尽くしたうえで技術を絞り込み、幅広い用途向けのパワー半導体を提供しています。シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。
AEC-Q101準拠
反復アバランシェ定格あり
定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適
AEC-Q101準拠
反復アバランシェ定格あり
定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適
20 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
20 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
トレンチMOSFET技術
超高速スイッチング
電力損失がさらに軽減: Ptot = 890 mW
静電気放電(ESD)保護: 2 kV HBM
AEC-Q101認定
トレンチMOSFET技術
超高速スイッチング
電力損失がさらに軽減: Ptot = 890 mW
静電気放電(ESD)保護: 2 kV HBM
AEC-Q101認定
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。