Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

RS品番:: 151-3050
メーカー型番:: PMV55ENEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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RS品番:: 151-3050
メーカー型番:: PMV55ENEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	3.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	120mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	8.36W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	12.7nC
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.4 mm
	長さ	3mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 3.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 8.36W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.7nC
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.4 mm
	長さ 3mm
	自動車規格 AEC-Q101

車載向けMOSFET: AEC-Q101認定のパワーMOSFETとして世界最大の品揃えを誇ります。Nexperiaは、車載システムの要件を知り尽くしたうえで技術を絞り込み、幅広い用途向けのパワー半導体を提供しています。シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。

AEC-Q101準拠

反復アバランシェ定格あり

定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適

60 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

論理レベル互換

超高速スイッチング

トレンチMOSFET技術

静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM

AEC-Q101認定

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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