型番

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, -5.3 A, 57 mΩ, 11 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

RS品番:: 153-0708
メーカー型番:: PMV30XPEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, -5.3 A, 57 mΩ, 11 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

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RS品番:: 153-0708
メーカー型番:: PMV30XPEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-20V
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	57mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	5.44W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	11nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	12V
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1mm
	長さ	3mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.4mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -20V
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 57mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 5.44W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 12V
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1mm
	長さ 3mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.4mm
	自動車規格 AEC-Q101

20 V、PチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

トレンチMOSFET技術

超高速スイッチング

電力損失がさらに軽減: Ptot = 980 mW

静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM

AEC-Q101認定

リレードライバ

高速ラインドライバ

ハイサイド負荷スイッチ

スイッチング回路

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Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, -5.3 A, 57 mΩ, 11 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

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