Nexperia MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 5.5 A, 39 mΩ, 12.6 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。

代替品 / 類似品

この製品は現在お取り扱いしておりません。 お勧めの代替品です。

RS品番:
151-3075
メーカー型番:
PMV25ENEAR
メーカー/ブランド名:
Nexperia
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

39mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.6nC

最大許容損失Pd

6.94W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

1.4mm

長さ

3mm

高さ

1.1mm

自動車規格

AEC-Q101

車載向けMOSFET: AEC-Q101認定のパワーMOSFETとして世界最大の品揃えを誇ります。Nexperiaは、車載システムの要件を知り尽くしたうえで技術を絞り込み、幅広い用途向けのパワー半導体を提供しています。シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。

AEC-Q101準拠

反復アバランシェ定格あり

定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適

30 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

低しきい値電圧

超高速スイッチング

トレンチMOSFET技術

静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM

AEC-Q101認定

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。