Vishay Nチャンネル MOSFET20 V 5.9 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 152-6360
- メーカー型番:
- SI2374DS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は50個
￥53.06
(税抜)
￥58.37
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 50 - 100 | ￥53.06 | ￥2,653.00 |
| 150 - 1200 | ￥51.52 | ￥2,576.00 |
| 1250 - 1450 | ￥35.76 | ￥1,788.00 |
| 1500 - 2450 | ￥27.88 | ￥1,394.00 |
| 2500 + | ￥20.00 | ￥1,000.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 152-6360
- メーカー型番:
- SI2374DS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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その他
詳細情報
Vishay Semiconductor SI2374DS-T1-GE3 は、 3 ピン、 20 V 、 5 です。負荷スイッチ及び電力管理に一般的に使用される 9 A 表面実装 N チャンネル MOSFET です。
IEC61249-2-21 規定に準拠したハロゲンフリー
TrenchFET®パワーMOSFET
100 %耐久性テスト済み
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100 %耐久性テスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.9 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 41 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.4V |
| 最大パワー消費 | 1.7 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | ±8 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 1.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 3.04mm |
| 高さ | 1.02mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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