Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 5.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2374DS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
152-6360
メーカー型番:
SI2374DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

Si2374DS

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.041Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.7nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

長さ

3.04mm

規格 / 承認

Lead (Pb)-Free

自動車規格

なし

TrenchFET®パワーMOSFET

材料の分類:

用途

負荷スイッチ

電力管理

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