Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 7.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2369DS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
180-7798
メーカー型番:
SI2369DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

7.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.4nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.6W

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

高さ

1.12mm

幅

2.64 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Vishay


Vishay 表面実装 P チャンネル MOSFET は、ゲートソース電圧が 10 V のときに 29 mhm のドレインソース抵抗を持つ新しい製品です。最大ゲートソース電圧は 20 V 、ドレインソース電圧は 30 V です。MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。連続ドレイン電流は 7.6 A 、最大消費電力は 2.5 W です。 MOSFET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

特長と利点


• ハロゲンフリー

•鉛（ Pb ）フリー

•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

• TrenchFET パワー MOSFET

用途


• DC/DC コンバータ

•モバイルコンピューティングのために

•負荷スイッチ

•ノートブック・アダプター・スイッチ

認定


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• Rg テスト済み

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