型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

RS品番:: 228-2813
メーカー型番:: Si2387DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
3000 - 12000	￥22.582	￥67,746
15000 - 27000	￥22.121	￥66,363
30000 - 72000	￥20.946	￥62,838
75000 - 147000	￥20.362	￥61,086
150000 +	￥19.769	￥59,307

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RS品番:: 228-2813
メーカー型番:: Si2387DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	11Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	2.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	6.8nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.12mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 2.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.8nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.12mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - Si2387DS-T1-GE3

Vishay TrenchFET Gen IV P チャンネルパワー MOSFET は、負荷スイッチ、回路保護、モータドライブ制御に使用されます。

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 80 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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