Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 4.6 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-23, SI3476DV-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
152-6369
メーカー型番:
SI3476DV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

Si3476DV

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.093Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.9nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

3.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.1mm

幅

1.7 mm

高さ

1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

TrenchFET®パワーMOSFET

材料の分類:

用途

ポータブルデバイス用負荷スイッチ

LEDバックライトスイッチ

DC/DCコンバータ

ブーストコンバータ

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