Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-323 6 ピン
- RS品番:
- 159-6522
- メーカー型番:
- SI1441EDH-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価: 購入単位は3000 個
¥34.469
(税抜)
¥37.916
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
3000 - 12000 | ¥34.469 | ¥103,407.00 |
15000 - 27000 | ¥33.44 | ¥100,320.00 |
30000 - 72000 | ¥31.657 | ¥94,971.00 |
75000 - 147000 | ¥30.765 | ¥92,295.00 |
150000 + | ¥29.873 | ¥89,619.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 159-6522
- メーカー型番:
- SI1441EDH-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | P |
最大連続ドレイン電流 | 4 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
パッケージタイプ | SOT-323 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 6 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 100 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 0.4V |
最大パワー消費 | 2.8 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -10 V, +10 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 22 nC @ 8 V |
幅 | 1.35mm |
動作温度 Max | +150 °C |
トランジスタ素材 | Si |
長さ | 2.2mm |
高さ | 1mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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